MZI 전기광학 변조기 이론 및 수식 유도 가이드

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1. Strip 도파로 유효굴절률 (n_eff) 상세 유도

3차원 Strip 도파로(폭 w, 높이 h)를 통과하는 파동 방정식을 풀기 위해 Effective Index Method (EIM, 유효굴절률법) 및 Marcatili 근사법을 적용합니다.

Step 1.1: 파수(Wavevector) 및 규격화 주파수(V-number) 정의

자유공간 파수를 k₀ = 2π / λ 라 할 때, 코어(n_core)와 클래딩(n_cladd) 간의 횡방향 규격화 주파수 V_x, V_y는 다음과 같이 정의됩니다:

V_x = k₀ · (w / 2) · √(n_core² - n_cladd²)
V_y = k₀ · (h / 2) · √(n_core² - n_cladd²)

Step 1.2: 횡방향 가우시안 모드 필드 차단 수식

Marcatili 근사법에 따라 횡방향 전계 차단 정수(Transverse Decay Constant)를 반영한 차원별 유효굴절률 감소항을 계산합니다:

Term_x = [ π / (2 · V_x + 1.2) ]²
Term_y = [ π / (2 · V_y + 1.2) ]²

Step 1.3: 최종 단일 모드 유효굴절률(n_eff0) 합성

X축과 Y축 구속 효과를 합성한 3차원 기본 모드(TE₀₀)의 유효굴절률 n_eff0는 다음과 같이 도출됩니다:

n_eff0 = √( n_core² - Term_x - Term_y )

※ 이 때 유효굴절률은 항상 물리적 범위를 만족합니다: n_cladd < n_eff0 < n_core

2. Evanescent Coupling 및 Supermode (Even/Odd) 수식 유도

두 도파로가 간격 G를 두고 근접할 때, 소모성 영역(Evanescent Tail)의 중첩으로 인해 Symmetric(Even) 모드와 Anti-Symmetric(Odd) 모드로 분리되는 과정을 유도합니다.

Step 2.1: 감쇄 정수(γ) 및 결합 계수(K) 도출

클래딩 내부로 침투하는 소모성 전계의 감쇄 정수 γ는 다음과 같습니다:

γ = k₀ · √(n_eff0² - n_cladd²)

두 도파로 간의 단위 길이당 모드 결합 계수 K(G)는 간격 G에 따라 지수함수적으로 감소합니다:

K(G) = K₀ · exp(-γ · G)

어디서 K₀ = [ 2 · k₀² · (n_core² - n_cladd²) ] / [ k₀ · n_eff0 · w ] 입니다.

Step 2.2: Even / Odd 모드 유효굴절률 분리

Coupled Mode Theory (CMT) 결합 행렬의 고유값(Eigenvalue)을 풀면 우모드(Even)와 기모드(Odd)의 굴절률이 각각 상하로 분리됨을 증명할 수 있습니다:

n_even = n_eff0 + (K / k₀)
n_odd = n_eff0 - (K / k₀)
Δn_even_odd = n_even - n_odd = 2K / k₀

3. Pockels 효과, 전기광학 위상 변화 및 V_π 완전 유도

Step 3.1: 굴절률 변조량 (Δn) 도출

전극 간격 g_elec에 인가된 전압 V에 의해 형성되는 전기장 E = V / g_elec 입니다. Pockels 효과에 의한 굴절률 변화량 Δn은 다음과 같습니다:

Δn = (1 / 2) · n_core³ · r₃₃ · (V / g_elec)

Step 3.2: Arm별 위상 지연량 (φ₁, φ₂) 도출

유효 전극 작용 길이 L_elec를 통과할 때 전압 V₁, V₂에 의해 발생하는 광학적 위상 지연량 φ₁, φ₂는 다음과 같습니다:

φ₁ = (2π / λ) · n_even · L_arm + (π / λ) · n_core³ · r₃₃ · (V₁ / g_elec) · L_elec
φ₂ = (2π / λ) · n_odd · L_arm + (π / λ) · n_core³ · r₃₃ · (V₂ / g_elec) · L_elec

Step 3.3: 반파장 전압 (V_π) 공식 완전 유도

푸시풀(Push-Pull) 구동 조건(V₁ = -V₂ = V/2)에서 두 Arm 간 위상차 Δφ = |φ₁ - φ₂| 가 π (180°)가 되는 전압 V = V_π 라 정의합니다:

Δφ = (π / λ) · n_core³ · r₃₃ · (V_π / g_elec) · Γ · L_elec = π

양변에서 π를 약분하고 V_π에 대해 정리하면 최종 수식이 완벽히 도출됩니다:

V_π = (λ · g_elec) / (n_core³ · r₃₃ · Γ · L_elec)

4. MZI 최종 합성 출력 전력 (I_out) 유도

입력 전계 E_in이 Y-Branch에서 두 개로 분할된 후(E₁ = E₂ = E_in / √2), 각 Arm을 통과하여 출력단에서 다시 합성될 때의 복소 전계 E_out은 다음과 같습니다:

E_out = (E_in / 2) · [ exp(j · φ₁) + exp(j · φ₂) ]

출력 광강도 I_out = |E_out|² 계산 과정:

I_out = (I_in / 4) · | exp(j · φ₁) + exp(j · φ₂) |²
I_out = (I_in / 4) · [ 2 + 2 · cos(φ₁ - φ₂) ]

삼각함수 반각 공식 1 + cos(x) = 2 · cos²(x/2) 를 적용하면 최종 MZI 간섭 수식이 도출됩니다:

I_out = I_in · cos²( Δφ / 2 )

5. 주요 수학적 기호 및 변수 정의표

기호 물리적 의미 기본 단위 및 시뮬레이터 적용 범위
λ 입사 광 파장 (Wavelength) 1200 ~ 1600 nm (기본값: 1550 nm)
n_core / n_cladd 코어 및 클래딩 재질의 굴절률 Si(3.45), LiNbO₃(2.21), Polymer(1.55) / Oxide(1.45)
r₃₃ 전기광학 계수 (Pockels Coefficient) LiNbO₃: 30 pm/V, Polymer: 70 pm/V
g_elec 전극 간 이격 거리 (Electrode Gap) g_elec = w_arm + w_elec + 0.6 μm
Γ 광모드-전기장 중첩 인자 (Overlap Factor) Γ ≈ 0.85 · [ 1 - exp(-t_elec / h_core) ]
V_π 반파장 전압 (Half-Wave Voltage) 위상을 180° 변조시키는 데 필요한 인가 전압 (V)